STMicroelectronics e Innoscience: accordo per lo sviluppo e la produzione di tecnologia GaN

STMicroelectronics e la cinese Innoscience hanno annunciato la firma di un accordo strategico per lo sviluppo e la produzione congiunta di tecnologia GaN (nitruro di gallio). Per la società italo-francese si tratta di un nuovo impegno con realtà di casa a Pechino, dopo la fabbrica in joint venture con Sanan sul carburo di silicio.

L'intesa permetterà a Innoscience di sfruttare la capacità produttiva di ST al di fuori della Cina per la realizzazione di wafer GaN, mentre ST potrà beneficiare delle strutture produttive di Innoscience in Cina per avere una maggiore flessibilità produttiva. STMicroelectronics aveva già investito circa 50 milioni di dollari nella società cinese al momento dell'IPO a fine 2024.

"ST e Innoscience sono entrambi produttori integrati di dispositivi, e con questo accordo faremo leva su questo modello a beneficio dei nostri clienti nel mondo. Innanzitutto, ST farà accelerare la propria roadmap per la tecnologia di potenza GaN a complemento della propria offerta in silicio e in carburo di silicio. Inoltre, ST sarà in grado di capitalizzare un modello di manifattura flessibile per essere al servizio dei clienti nel mondo", ha dichiarato Marco Cassis, presidente della divisione Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors di STMicroelectronics.

Il nitruro di gallio è fondamentale per le auto elettriche e l'elettronica di potenza grazie alle sue eccezionali proprietà elettroniche e termiche. Rispetto al silicio, il GaN permette una maggiore efficienza energetica, riduce le perdite di potenza e consente una più rapida commutazione dei segnali. Ciò si traduce in sistemi di alimentazione più leggeri, compatti e affidabili, cruciali per la gestione delle alte tensioni e correnti delle auto elettriche, ma non solo.

"La tecnologia GaN è essenziale per migliorare l'efficienza dell'elettronica, permettendo la realizzazione di sistemi più piccoli ed efficienti, con minori consumi e una riduzione delle emissioni di CO2. Grazie alla nostra esperienza nella produzione di tecnologia GaN a 8 pollici, con oltre un miliardo di dispositivi già spediti in diversi mercati, siamo entusiasti di rafforzare la nostra collaborazione con ST. Questo accordo ci consentirà di accelerare ulteriormente l'adozione della tecnologia GaN e di sviluppare le prossime generazioni di dispositivi innovativi", ha affermato Weiwei Luo, presidente e cofondatore di Innoscience.