Carburo di silicio, STMicroelectronics e Sanan inaugurano la fabbrica in joint venture
di Manolo De Agostini pubblicata il 07 Marzo 2025, alle 10:31 nel canale Mercato
Con una cerimonia inaugurale alla fine di febbraio, STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics hanno varato la nuova fabbrica per la produzione di dispositivi al carburo di silicio per il settore automobilistico e industriale.
STMicroelectronics e la cinese Sanan Optoelectronics, partner in una joint venture dedicata alla produzione di semiconduttori al carburo di silicio (SiC), hanno annunciato il completamento di una parte dell'impianto situato a Chongqing, un progetto lanciato nel giugno 2023. Un impegno, sussidiato in parte dal governo locale, da 3,2 miliardi di dollari nei prossimi 5 anni, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi.
L'obiettivo è avviare la produzione in volumi nel quarto trimestre del 2025, con una progressiva espansione che porterà la fabbrica a pieno regime entro il 2028. Si stima che l'impianto sarà in grado di produrre circa 10.000 wafer in carburo di silicio a settimana, per un totale di circa 480.000 wafer annui.
Per STMicroelectronics, recentemente al centro di discussioni legate a performance finanziarie deludenti e a tensioni sulla governance tra Italia e Francia, questa rappresenta una notizia positiva.
La struttura di Chongqing segna il debutto della produzione in volumi in Cina di chip di potenza in carburo di silicio da 8 pollici, destinati principalmente al settore automobilistico, ma anche ad altri ambiti. Con l'espansione dei veicoli elettrici in Cina, cresce la domanda di SiC, il cui prezzo si stima scenderà del 40-50% con l'aumentare della produzione e l'avanzare dei processi nei prossimi due anni. Secondo ST, la tecnologia SiC consentirà ai veicoli di percorrere 600 chilometri e di ricaricarsi rapidamente in soli 20 minuti.
Le previsioni di TrendForce suggeriscono che il mercato cinese dei dispositivi di potenza SiC raggiungerà circa 1,8 miliardi di dollari nel 2024, crescerà a 2,2 miliardi di dollari nel 2025 e raggiungerà i 6,1 miliardi di dollari entro il 2030.
Il progetto congiunto si trova nel parco industriale Xiyong Microelectronics Industrial Park, situato nella zona high-tech di Chongqing. Oltre alla fabbrica di chip, è previsto anche un impianto di produzione di substrati SiC da 200 mm, gestito da Sanan, che utilizzerà il suo processo di produzione per soddisfare le esigenze della joint venture.
Questa alleanza produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, impiegando la tecnologia proprietaria di ST nel processo manifatturiero, fungendo da foundry dedicata per rispondere alla crescente domanda di clienti cinesi.
Sanan detiene il 51% della joint venture, mentre STMicroelectronics possiede la restante parte. Durante la cerimonia di inaugurazione, Jean-Marc Chery, presidente e CEO di STMicroelectronics, ha sottolineato come la joint venture consenta alle soluzioni SiC di ST di integrarsi nell'ecosistema della crescente industria cinese dei veicoli a nuova energia, contribuendo a ridurre le importazioni grazie a una produzione localizzata.
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6 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoMa il governo cinese non aveva rimosso tale limite ? Oltretutto continuare ad "investire" in Cina in questo modo autolesionista e con le guerre commerciali che si profilano all'orizzonte mi sembra una boiata pazzesca.
Ma il governo cinese non aveva rimosso tale limite ? Oltretutto continuare ad "investire" in Cina in questo modo autolesionista e con le guerre commerciali che si profilano all'orizzonte mi sembra una boiata pazzesca.
Esatto, tra qualche anno un gruppo di ex dipendenti cinesi creerà una fabbrica analoga con un processo produttivo non più proprietario perché migliorato, con contributi dello Stato cinese, e produrrà le stesse cose, però migliori e a prezzo più basso, facendo fallire la joint venture e ricomprando la fabbrica appena inaugurata. Storia già vista centinaia di volte negli ultimi 20 anni. La miopia della classe imprenditoriale e politica europea non ha eguali.
Mi piacerebbe chiedere spiegazioni tecniche a chi ha fatto questa affermazione, ma temo che risponderebbe il reparto market(t)ing...
Capitalismo (occidentale) contro regime (cinese), all'imprenditore statunitense non importa se tra 5-6 anni la fabbrica fallirà perché avrà già venduto le sue quote da un pezzo pronto ad investire sulla prossima tecnologia.
Su questo concetto la Cina ha fatto la sua fortuna, ora però si trova nella posizione di essere molto più avanti dell'occidente su numerose tecnologie.
e` la tecnologia del momento. L'elettronica di potenza in carburo di silicio permette di salire con i voltaggi abilitando le auto con architettura a 800V.
Tensioni piu` alte significa correnti piu` basse che a parita` di resistenze interne significa meno dispersioni e maggiore efficienza. Le dispersioni termiche sono il limite maggiore alla velocita` di ricarica (rischi di cuocere la batteria) quindi con SiC riesci a carica l'auto piu` infretta sprecando meno energia, sia in fase di ricarica che di utilizzo.
Quando senti parlare di auto con tensione di base a 800v significa elettronica di potenza in carburo di silicio con tutto cio` che ne consegue.
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