STMicroelectronics: a Catania il primo impianto al mondo integrato per il carburo di silicio

STMicroelectronics ha annunciato un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di carburo di silicio ("SiC") da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging, che sarà costruito a Catania.

Si prevede un investimento totale intorno ai 5 miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa 2 miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell'Unione Europea.

Insieme all'impianto di produzione di substrati in SiC in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito.

"Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni", ha detto Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics.

"Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l'elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione".

Il Silicon Carbide Campus sarà il polo centrale per l'ecosistema SiC globale di ST e integrerà tutte le fasi del flusso di produzione: sviluppo di substrati in SiC, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di fette da 200 mm e assemblaggio back-end dei moduli, ma anche ricerca e sviluppo di processi, progettazione di prodotti, laboratori avanzati di ricerca e sviluppo per i die, sistemi e moduli di potenza e capacità complete di packaging. Questo centro sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in grandi volumi di fette in SiC da 200 mm con tutti i passaggi del processo.

Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l'avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana.

Il carburo di silicio è un materiale composto fondamentale costituito da silicio e carbonio, che offre numerosi vantaggi rispetto al silicio tradizionale per le applicazioni di potenza. L'ampio bandgap del SiC e le sue caratteristiche intrinseche - migliore conducibilità termica, maggiore velocità di commutazione, bassa dissipazione - lo rendono particolarmente adatto per la produzione di dispositivi di potenza ad alta tensione (in particolare al di sopra di 1.200 V).

I dispositivi di potenza in SiC sono particolarmente utili nei veicoli elettrici, nelle infrastrutture di ricarica rapida, nelle energie rinnovabili e in varie applicazioni industriali, tra cui i datacenter, in quanto offrono correnti elettriche più elevate e dispersioni inferiori rispetto ai dispositivi in silicio tradizionali, migliorando l'efficienza energetica.

ST produce i suoi prodotti in SiC più importanti in grandi volumi su due linee di fette da 150 millimetri a Catania e Ang Mo Kio (Singapore). Un terzo polo è rappresentato da una joint venture con Sanan Optoelectronics, con un impianto da 200 millimetri attualmente in costruzione a Chongqing (Cina) dedicato a ST per servire il mercato cinese.

Gli impianti di produzione di ST sono supportati da attività di assemblaggio e test in grandi volumi, qualificate per il settore automotive, svolte a Bouskoura (Marocco) e Shenzhen (Cina).

Le attività di ricerca e sviluppo e industrializzazione dei substrati in SiC sono condotte a Norrköping (Svezia) e a Catania, dove l'impianto di produzione di substrati in SiC di ST sta ampliando la produzione e dove ha sede la maggior parte del personale di Ricerca e Sviluppo e di progettazione di prodotti in SiC di ST.